Samsung SSD 990 PRO 1 TB M.2 NVMe Solid-State-Drive GB

Produktinformationen "Samsung SSD 990 PRO 1 TB M.2 NVMe Solid-State-Drive GB"
Erreichen Sie die maximale Leistung von PCIe 4.0. Erleben Sie länger anhaltende, gegnerische Geschwindigkeit. Die intelligente Wärmeregulierung des hauseigenen Controllers sorgt für höchste Energieeffizienz bei gleichzeitig hoher Geschwindigkeit und Leistung, damit Sie immer an der Spitze Ihres Spiels bleiben.

  • Maximierte PCIe 4.0-Geschwindigkeit
    Enormer Geschwindigkeitsschub, schnellere zufällige Lese-/Schreibgeschwindigkeiten als 980 PRO. Fliegen Sie hoch hinaus bei Spielen, Video- und 3D-Bearbeitung, Datenanalyse und mehr.
  • Bahnbrechende Leistungseffizienz
    Mehr energieeffiziente Leistung. Höhere Leistung verbraucht normalerweise mehr Strom. Die 990 PRO verbraucht weniger Strom und bietet bis zu 50 % mehr Leistung pro Watt als die 980 PRO. Dieses stromsparende Design ermöglicht maximale PCIe 4.0-Leistung bei optimaler Energieeffizienz.
  • Intelligente thermische Lösung
    Geschwindigkeit jenseits der Hitze. Der nickelbeschichtete Controller und der hochmoderne Algorithmus zur Wärmeregulierung sorgen für eine gleichbleibende Leistung. Das Heatspreader-Etikett kontrolliert die Wärme des NAND-Chips, während Dynamic Thermal Guard die Temperaturen optimal hält.
  • Der Meistermacher
    Eine Verbesserung der Zufallsleistung um mehr als 55 % ermöglicht schnellere Ladezeiten für ultimativen Spielerealismus bei PS5- und DirectStorage-PC-Spielen.
Massenspeicher 
TypSolid State Drive
Festplattenlaufwerk 
FestplattentypInternes Festplattenlaufwerk
Formfaktor M.2 2280
Formfaktor (metrisch)M.2 2280
Formfaktor (kurz)M.2
Formfaktor (kurz) (metrisch)M.2
SpeicherschnittstellePCI Express 4.0 x4 (NVMe)
SchnittstellePCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kapazität1 TB
NAND-Flash-SpeichertypTLC (Triple-Level Cell)
Datenübertragungsrate8 GBps
Interner Datendurchsatz7450 MBps
Interne Datenrate (Schreiben)6900 MBps
4 KB Random Read1200000 IOPS
4 KB Random Write1550000 IOPS
SSD-Leistung600 TB
Merkmale1 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection
ProduktzertifizierungenS.M.A.R.T., NVMe 2.0
Erforderlicher Einschub 
Kompatibles SchaltfeldM.2 2280
Software 
TypSamsung Magician Software
Energieverbrauch 
Energieverbrauch5 mW (L1.2-Modus), 50 mW (Leerlauf), 5 Watt (Schreiben), 5.4 Watt (Lesen)
Verschiedenes 
VerpackungsdetailsBox
Verschlüsselungsalgorithmus256-Bit-AES
VerschlüsselungsinformationenTCG Opal Encryption 2.0
HardwareverschlüsselungJa
MTBF1,500,000 Stunden
KennzeichnungFCC, UKCA, EAC, cRUus, VCCI, IEEE 1667
Abmessungen und Gewicht 
Breite22 mm
Tiefe80 mm
Höhe2,3 mm
Gewicht9 g
Service und Support 
Typ5 Jahre Garantie
Details zu Service & Support 
Service und SupportBegrenzte Garantie - 5 Jahre / 600 TBW
Stoß- und Vibrationstoleranz 
Stoßbeschleunigung (Ruhezustand)1500 g
Stoßdauer (Ruhezustand)0,5 ms
Vibrationsbeschleunigung (Ruhezustand)20 g
Vibrationsfrequenzbereich (Ruhezustand)20-2000 Hz
Umgebungsbedingungen 
Min Betriebstemperatur0 °C
Max. Betriebstemperatur70 °C
Min. Lagertemperatur-40 °C
Max. Lagertemperatur85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb5 - 95 % (nicht kondensierend)
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