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Artikel-Nr.: 995026654
Hersteller-Nr.: MZ-V7S250BW
GTIN: 8801643628079
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Produktnummer:
995026654
Produktbeschreibung
So wird hohe Leistung noch gesteigert. Die mit modernster V-NAND-Technologie ausgestattete 970 EVO Plus ist noch schneller als die 970 EVO und verfügt zudem über eine Firmware-Optimierung. Damit reizt sie das Potential der PCIe-Schnittstelle und des NVMe Protokolls für noch schnellere Zugriffszeiten voll aus.
- Flexibilität durch gutes Produktdesign
Die 970 EVO Plus zeigt die Weiterentwicklung im Bereich der NVMe-SSDs. Neben einer hohen Performance bietet sie eine hohe Speicherkapazität im kompakten M.2-Formfaktor (2280). Sie bietet damit viel Speicherplatz bei geringen Abmessungen und spart damit wertvollen Platz für andere Komponenten. Innovative Samsung-Technologien ermöglichen es Ihnen damit, den Freiraum zu haben, den sie benötigen um viel zu erreichen und noch mehr zu bewerkstelligen. - Unbedingte Zuverlässigkeit
Der bewährte Samsung Phoenix-Controller ist mit einer Schicht aus Nickel überzogen und das Laufwerksmodul der 970 EVO Plus mit einem dünnen Heat Spreader versehen, so dass die entstehende Wärme im Betrieb effektiv abgeführt wird. Darüber hinaus wacht die Dynamic Thermal Guard-Funktion ständig über das Laufwerk, so dass optimale Betriebstemperaturen eingehalten werden und die Performance konstant gehalten werden kann.
Massenspeicher | |
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Typ | Solid State Drive |
Festplattenlaufwerk | |
Festplattentyp | Internes Festplattenlaufwerk |
Formfaktor | M.2 2280 |
Formfaktor (metrisch) | M.2 2280 |
Formfaktor (kurz) | M.2 |
Formfaktor (kurz) (metrisch) | M.2 |
Speicherschnittstelle | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
Schnittstelle | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
Kapazität | 250 GB |
NAND-Flash-Speichertyp | TLC (Triple-Level Cell) |
Interner Datendurchsatz | 3500 MBps |
Interne Datenrate (Schreiben) | 2300 MBps |
4 KB Random Read | 17000 IOPS |
4 KB Random Write | 60000 IOPS |
Maximal 4 KB Random Read | 250000 IOPS |
maximal 4 KB Random Write | 550000 IOPS |
Puffergröße | 512 MB |
SSD-Leistung | 150 TB |
Merkmale | TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller |
Produktzertifizierungen | S.M.A.R.T. |
Bereitgestellte Schnittstelle | |
Schnittstellen | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card |
Erforderlicher Einschub | |
Kompatibles Schaltfeld | M.2 2280 |
Energieverbrauch | |
Energieverbrauch | 30 mW (Inaktivität Maximum), 5 Watt (Durchschnitt), 8 Watt (Maximum) |
Verschiedenes | |
Verschlüsselungsalgorithmus | 256-Bit-AES |
Verschlüsselungsinformationen | TCG Opal Encryption |
Hardwareverschlüsselung | Ja |
MTBF | 1,500,000 Stunden |
Kennzeichnung | IEEE 1667 |
Abmessungen und Gewicht | |
Breite | 22,15 mm |
Tiefe | 80,15 mm |
Höhe | 2,38 mm |
Gewicht | 8 g |
Service und Support | |
Typ | 5 Jahre Garantie |
Details zu Service & Support | |
Service und Support | Begrenzte Garantie - 5 Jahre |
Stoß- und Vibrationstoleranz | |
Stoßbeschleunigung (Betrieb) | 1500 g |
Stoßdauer (Betrieb) | 0,5 ms Sinushalbwellen |
Umgebungsbedingungen | |
Min Betriebstemperatur | 0 °C |
Max. Betriebstemperatur | 70 °C |
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